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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ā抗日战争胜利的时间是哪一年，抗日战争胜利的时间是哪一年到哪一年n)全问题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三抗日战争胜利的时间是哪一年，抗日战争胜利的时间是哪一年到哪一年星(xīng)、美光(guāng)、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最抗日战争胜利的时间是哪一年，抗日战争胜利的时间是哪一年到哪一年关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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