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　　美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运一缕青丝是什么意思有什么讲究，一缕青丝下一句是什么营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国(guó一缕青丝是什么意思有什么讲究，一缕青丝下一句是什么)法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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