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生日快乐缩写HBD,hb生日快乐缩写 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一(yī)则(zé)突发消(xiāo)息。

  美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审(shěn)查

  据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息,日前,网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

  审查(chá)发现,美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患,对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险(xiǎn),影响我国国家安全。为此,网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规,我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

  此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查,目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全,是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng),只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求,欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

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  3月31日,中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称,为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全,防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风险,维护(hù)国家安全,依据(生日快乐缩写HBD,hb生日快乐缩写jù)《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》,网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查(chá)。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头,也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为(wèi) 96.76%,三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降(jiàng),至少已经不是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元(yuán),占比(bǐ)33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(生日快乐缩写HBD,hb生日快乐缩写nián)年报显示(shì),江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē),确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng),巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应优势,公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析(xī),如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制(zhì),或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo),催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露,薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单,设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科(kē)技(jì)(薄膜沉(chén)积)等相关公司份额提升,以及存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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