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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和中国欠别国钱吗(hé)国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金(jī中国欠别国钱吗n)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85中国欠别国钱吗％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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