大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来(lá辣妹是夸人还是骂人的，辣妹是夸人还是骂人的话i)自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(ni辣妹是夸人还是骂人的，辣妹是夸人还是骂人的话án)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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