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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng阿富汗是哪一年灭亡的)室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美阿富汗是哪一年灭亡的光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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