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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光刽子手，刽子手念gui还是念kuai读音在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Fl刽子手，刽子手念gui还是念kuai读音ash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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