大家好，来看一(yī)则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基糯糯是什么意思，糯糯的说一句什么意思(jī)础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(z糯糯是什么意思，糯糯的说一句什么意思ài)华销售的(de)产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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