大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品正实数包括0吗包括负数吗，正实数包括零吗存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部正实数包括0吗包括负数吗，正实数包括零吗数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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