大(dà)家(jiā)好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，新字的繁体字有几画，新的繁体字是几画我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市新字的繁体字有几画，新的繁体字是几画场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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