大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审(左右结构相同的字有哪些，左右结构相同的字大全shěn)查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关左右结构相同的字有哪些，左右结构相同的字大全键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公左右结构相同的字有哪些，左右结构相同的字大全室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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