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谢霆锋资产有百亿吗

谢霆锋资产有百亿吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息(xī)。

  美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办(bàn)消息,日(rì)前,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn),对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规,我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

  此次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查,目的是防范产(chǎ谢霆锋资产有百亿吗n)品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全,是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放(fàng),只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求,欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称(chēng),为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán),防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险,维护国家安全,依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全(quán)审查。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美(měi)光是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头,也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一(yī),2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降,至少已经不(bù)是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购(gòu)约31亿元,占比谢霆锋资产有百亿吗33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确(què)保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势,公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

  有券商此前就分析,如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制,或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60:1的深(shēn)孔(kǒng),未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽,催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露,薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75%。自(zì)长江存储被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限制名(míng)单(dān),设备国产(chǎn)化(huà)进程加速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等收(shōu)入增长(zhǎng)。

 

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