大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yí为什么梅西的人缘远比c罗好ng)各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidi为什么梅西的人缘远比c罗好gm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电为什么梅西的人缘远比c罗好子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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