大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法对(duì)美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查。

　　secx的不定积分推导过程，secx的不定积分推导过程图片审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hsecx的不定积分推导过程，secx的不定积分推导过程图片àn)长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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