大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micro怀瑾握瑜,嘉言懿行，嘉言懿行 怀瑾握瑜含义n）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购怀瑾握瑜,嘉言懿行，嘉言懿行 怀瑾握瑜含义占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品怀瑾握瑜,嘉言懿行，嘉言懿行 怀瑾握瑜含义>

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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